技術(shù)文章
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ABB可控硅5STP系列普通晶閘管其規(guī)格型號近百種 ABB可控硅5STP系列普通晶閘管其規(guī)格型號近百種，可滿足大功率的工業(yè)生產(chǎn)，電氣傳動領(lǐng)域的需要，尤其在電力系統(tǒng)中，這些元件廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、功率勵磁柜,整流柜,充電機(jī),同步電動機(jī)勵磁整流柜,交流變頻電機(jī),...發(fā)布時間：2015-07-01 17:12 點(diǎn)擊次數(shù)：1681 次
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ipm模塊即智能功率模塊 ipm模塊即智能功率模塊，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動電路集成在一起。而且還內(nèi)部集成有過電壓，過電流和過熱等故障檢測電路，并可將檢測信號送到CPU。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門極驅(qū)動電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。 即使發(fā)生...發(fā)布時間：2015-06-21 22:24 點(diǎn)擊次數(shù)：1766 次
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西門康可控硅GTO亦稱門控可控硅 西門康可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控可控硅。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時可控硅能自行關(guān)斷。 普通西門康可控硅（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲...發(fā)布時間：2015-06-16 16:15 點(diǎn)擊次數(shù)：2733 次
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中頻爐可控硅經(jīng)常燒毀損壞原因診斷及分析 1、中頻爐逆變可控硅水冷套內(nèi)斷水或散熱效果下降——更換水冷套。有時觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的，但經(jīng)常由于水質(zhì)問題，在水冷套的壁上附著一層水垢，由于水垢是一種導(dǎo)熱性級差的物體，雖然有足夠的水流量流過，但因為水垢的隔...發(fā)布時間：2015-06-08 15:36 點(diǎn)擊次數(shù)：3655 次
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ipm模塊有什么特點(diǎn)？ ipm模塊與以往IGBT模塊及驅(qū)動電路的組件相比具有如下特點(diǎn)：(1)內(nèi)含驅(qū)動電路。設(shè)定了*佳的IGBT驅(qū)動條件，驅(qū)動電路與IGBT間的距離很短，輸出阻抗很低，因此，不需要加反向偏壓。所需電源為下橋臂1組，上橋臂3組，共4...發(fā)布時間：2015-06-05 17:21 點(diǎn)擊次數(shù)：1794 次
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可控硅主要參數(shù) 可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，俗稱可控硅，指的是具有四層交錯P、N層的半導(dǎo)體裝置。*早出現(xiàn)的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中國大陸通常...發(fā)布時間：2015-06-02 09:34 點(diǎn)擊次數(shù)：2354 次
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富士igbt功率模塊的用途特征 IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。富士igbt功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊。igbt功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件，由高速低功耗管芯...發(fā)布時間：2015-05-31 17:56 點(diǎn)擊次數(shù)：1880 次
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ipm模塊內(nèi)置四種保護(hù)功能機(jī)制 ipm模塊內(nèi)置的驅(qū)動和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡單、可靠，縮短了系統(tǒng)開發(fā)時間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。保護(hù)電路可以實現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過流保護(hù)和短路保護(hù)。(1)控制電壓欠壓保護(hù)(UV)：IPM使用單一的+1...發(fā)布時間：2015-05-29 18:51 點(diǎn)擊次數(shù)：2545 次
